HY3208NA3P دیتاشیت

HY3208NA3P

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت HY3208NA3P
حجم فایل 63.17 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

مشاهده دیتاشیت HY3208NA3P

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: HUAYI HY3208NA3P
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 208W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 65nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 80V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 3.15nF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 120A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 205pF@25V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 7mΩ@10V,40A
  • Package: TO-220
  • Manufacturer: HUAYI

محصولات مشابه